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主要性能参数 | |
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生长方法 |
提拉法 |
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晶体结构 |
单晶/多晶 |
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纯度 |
> 99.9999% |
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热膨胀系数 |
6.1(10-6, ℃-1) |
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密 度 |
5.33g/cm3 |
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熔点 |
937.4℃ |
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晶向 |
<111> |
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ETV |
≤0.05mm |
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电阻率 |
5-40 Ohm-cm(根据客户需要可以提供更低电阻率的锗) |
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导电类型 |
N-type |
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杨氏模量(Gpa) |
103 |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |