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主要性能参数 | |
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生长方法 |
MOCVD |
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晶体结构 |
六方 |
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晶格常数 |
a=3.07 Å c=15.117 Å |
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排列次序 |
ABCACB |
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方向 |
生长轴或 偏<0001> 3.5 º |
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带隙 |
3.02 eV (间接) |
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硬度 |
9.2（mohs） |
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密度 |
3.21g/cm3 |
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折射率 |
no=2.55 ne=2.59 |
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热传导@300K |
3 - 5 x 106W/ m |
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介电常数 |
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
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尺寸 |
10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm |
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厚度 |
厚度：0.35mm |
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抛光 |
单面或双面 |
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晶向 |
<001>±0.5º |
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晶面定向精度: |
±0.5° |
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边缘定向精度: |
2°（特殊要求可达1°以内） |
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |