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主要性能参数 | |||||||
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单晶 |
掺杂 |
导电类型 |
载流子浓度cm-3 |
位错密度cm-2 |
生长方法 |
标准基片（mm） | |
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GaAs |
Si |
N |
>5×1017 |
<5×105 |
VGF(垂直梯度凝固法) HB(垂直布里奇曼法) |
Dia2″×0.35 Dia100×0.35 | |
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晶向 |
(100) 0°±0.5° | ||||||
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(100) 2°±0.5°off toward <111>A | ||||||
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(100)15°±0.5°off toward <111>A | ||||||
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尺寸（mm） |
25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 | ||||||
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A | ||||||
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抛光 |
单面或双面 | ||||||
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 | ||||||