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陶瓷基片

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氮化硅

陶瓷基片

                               氮化硅(Si3N4)陶瓷
    氮化硅陶瓷是一种烧结时不收缩的无机材料。它是用硅粉作原料,先用通常成型的方法做成所需的形状,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350℃~1450℃的高温炉中进行第二次氮化,反应成氮化硅。用热压烧结法可制得达到理论密度99%的氮化硅。 
分子式
Si3N4
相对分子质量
140.28
颜色
灰色、灰黑色
晶系
六方晶系。晶体呈六面体
陶瓷片制备方法
热压法
相对密度
99.5%
密度
3.2+/-0.02 g/cm3
莫氏硬度
9~9.5
熔点
1900℃(加压下)。通常在常压下1900℃分解
热膨胀系数
2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)
比热容
0.71J/(g·K)
热导率
15~ 20W/(m·K)
弹性模量
300~320 GPa
断裂韧性
6.0~7.0 MPa.m
抗弯强度
650~750 Mpa
韦泊模数
10~12
溶解度
不溶于水。溶于氢氟酸。
氧化温度
在空气中开始氧化的温度1300~1400℃

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