主要性能参数
生长方法
提拉法
晶体结构
单晶/多晶
纯度
> 99.9999%
热膨胀系数
6.1(10-6, ℃-1)
密 度
5.33g/cm3
熔点
937.4℃
晶向
<111>
ETV
≤0.05mm
电阻率
5-40 Ohm-cm(根据客户需要可以提供更低电阻率的锗)
导电类型
N-type
杨氏模量(Gpa)
103
包装
100级洁净袋，1000级超净室
