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主要性能参数 | |
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生长方法 |
水热法 |
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晶体结构 |
六方 |
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晶格常数 |
a=4.914Å c=5.405 Å |
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熔点（℃） |
1610℃（相转变点：573.1℃） |
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密度 |
2.684g/cm3 |
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硬度 |
7（mohs） |
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热熔 |
0.18cal/gm |
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热导率 |
0.0033cal/cm℃ |
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热电常数 |
1200uv/℃（300℃） |
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折射率 |
1.544 |
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热膨胀系数 |
α11：13.71×106/ ℃ α33：7.48×106 /℃ |
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Q值 |
1.8×106 min |
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声速、声表级 |
3160（m/sec） |
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频率常数 |
1661（kHz/mm） |
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压电偶合 |
K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14 |
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晶向 |
Y、X或Z切，在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值 主定位边：根据客户要求定方向±30分 次定位边：根据客户要求定方向 籽 晶：位于中心，宽度<5mm，高度>66mm |
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抛光面 |
外延抛光：单抛或双抛Ra<10Å 工作区域：基片直径-3mm 弯 曲 度：Φ3″<20um，Φ4″<30um 工作区域无崩边，在边缘，崩边宽度<0.5mm 坑和划痕：每片<3，每100片<20 |
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标准厚度 |
0.5mm±0.05mm TTV<5um |
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标准直径 |
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm 主定位边：22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″) 次定位边：10mm±1.5mm |