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主要性能参数 | |
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生长方法 |
弧熔法 |
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晶体结构 |
立方 |
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晶格常数 |
a=4.130 Å |
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熔点（℃） |
2800 |
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纯度 |
99.95% |
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密度（g/cm3） |
3.58 |
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硬度 |
5.5（mohs） |
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热膨胀系数（/℃） |
11.2x10-6 |
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晶体解理面 |
<100> |
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光学透过 |
>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm） |
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介电常数 |
ε= 9.65 |
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热导率（卡／度 厘米 秒） |
0.14 300°K |
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尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
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dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm | |
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厚度 |
0.5mm，1.0mm |
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抛光 |
单面或双面 |
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晶向 |
<001>±0.5º |
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晶面定向精度: |
±0.5° |
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边缘定向精度: |
2°（特殊要求可达1°以内） |
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） |
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主要特点 |
由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 |
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主要用途 |
用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。 |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |