InP单晶基片
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,是生产光通讯中InP基激光二极管（LD），发光二极管（LED）和光探测器等的关键材料，这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用. InP单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。
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晶体 |
结构 |
晶向 |
熔点
oC |
密度
g/cm3 |
禁带宽度 |
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InP |
立方,
a=5.869 A |
<100> |
1600 |
4.79 |
1.344 |
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主要性能参数
单晶
掺杂
导电
类型
载流子浓度
cm-3
迁移率(cm2/V.s)
位错密度(cm-2)
标准基片
InP
本征
N
(0.4-2)*1016
(3.5-4)*103
5*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
S
N
(0.8-3)*1018
(4-6)*1018
(2.0-2.4*103
(1.3-1.6*103
3*104
2*103
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Zn
P
(0.6-2)*1018
70-90
2*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Fe
N
107-108
³2000
3*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
尺寸（mm）
Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋，1000级超净室