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薄膜衬底

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硅(Si)

薄膜衬底

Si 用途:用作半导体材料,大功率晶体管,整流器,太阳能电池等。 

主要性能参数

晶体结构

面心立方

熔点(℃)

1420

密度

2.4(g/cm3

掺杂物质

不参杂

B

P

类 型

 NP

P

N

电 阻 率

>1000Ωcm

10-3~40Ωcm

102~104Ωcm

E P D

≤100∕cm2

≤100∕cm2

≤100∕cm2

氧含量(∕cm3

≤1~1.8×1018

≤1~1.8×1018

≤1~1.8×1018

碳含量(∕cm3

≤5×1016

≤5×1016

≤5×1016

尺寸

10×10mm、15×15mm、Dia50.8mmDia76.2mmDia100mm

可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片

厚度

0.3-0.5mm、1.0mm

尺寸公差

<±0.1mm

厚度公差

<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm)

抛光

单面或双面

晶面定向精度

±0.5°

边缘定向精度

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合肥合瑞达光电材料有限公司面向科研院所及相关研究单位提供数十种高品质的单晶及薄膜基片,光学器件,激光晶体和陶瓷基片,以及包括陶瓷靶材、单晶靶材、金属靶材和合金靶材的各种规格溅射靶材和镀膜原料。同时为各大科研院所及企业提供光学材料的定向、切割、研磨、抛光和检测服务。

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