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主要性能参数 | |
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晶体结构 |
四方 |
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晶格常数 |
a=5.17 A c=6.26 A |
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熔点（℃） |
1900 |
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密度 |
2.62（g/cm3） |
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硬度 |
7.5（mohs） |
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与GaN失配率<001> |
1.4% |
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尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
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Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″ | |
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厚度 |
0.5mm，1.0mm |
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抛光 |
单面或双面 |
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晶向 |
＜100＞ ＜001> |
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晶面定向精度: |
±0.5° |
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边缘定向精度: |
2°（特殊要求可达1°以内） |
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |