主要性能参数 | |||
生长方法 | 提拉法 | ||
晶体结构 | 立方 | ||
晶格常数 | a=5.65754 Å | ||
密 度 | 5.323g/cm3 | ||
熔点 | 937.4℃ | ||
掺杂物质 | 不掺杂 | 掺Sb | 掺In或Ga |
类型 | / | N | P |
电阻率 | ＞35Ωcm | 0.05Ωcm | 0.05~0.1Ωcm |
EPD | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | ||
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm | |||
厚度 | 0.5mm，1.0mm | ||
抛光 | 单面或双面 | ||
晶向 | <100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
晶面定向精度: | ±0.5° | ||
边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） | ||
斜切晶片 | 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 | ||
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||