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主要性能参数 | ||
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晶系 |
六方（常温） |
立方（>435℃） |
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晶格常数 |
六方a=5.357A c=13.22 A |
立方a=3.821 A |
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熔点（℃） |
2080 | |
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密度 |
6.52（g/cm3） | |
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硬度 |
6-6.5（mohs） | |
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热膨胀系数 |
9.4x10-6/℃ | |
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介电常数 |
ε=21 | |
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损耗正切（10ghz) |
～3×10-4@300k,～0.6×10-4@77k | |
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颜色及外观 |
依退火状况而不同，由棕黄色到褐色 抛光基片有自然孪晶畴 | |
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化学稳定性 |
室温下不溶于矿物酸，温度大于150℃时可溶于h3po4 | |
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特点 |
适于微波电子器件 | |
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生长方法 |
提拉法 | |
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尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | |
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Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″ | ||
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厚度 |
0.5mm，1.0mm | |
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抛光 |
单面或双面 | |
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晶向 |
＜100＞ ＜110＞ ＜111＞ | |
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晶面定向精度: |
±0.5° | |
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边缘定向精度: |
2°（特殊要求可达1°以内） | |
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 | |
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） | |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 | |