欢迎来电咨询订购,公司竭诚为您服务!
0551-65385002 合肥市蜀山区仰桥路87号3栋1楼
合肥合瑞达光电材料有限公司-LOGO
Home / 晶体产品 / 薄膜衬底 / GaN 薄膜基片

薄膜衬底

Home / 晶体产品 / 薄膜衬底 / GaN 薄膜基片 / SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC )
SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC )

薄膜衬底

主要性能参数
生长方法
籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)
晶体结构
六方
晶格常数
a=3.08 Å     c=15.08 Å 
密度
3.21 g/cm3
方向
生长轴或 偏<0001> 3.5 º
带隙
3.26 eV (间接)
硬度
9.2(mohs)
热传导@300K
5 W/ cm.k
介电常数
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Dia2",Di3",Dia4"
厚度
0.35mm,
抛光
单面或双面
晶向
<0001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室