主要性能参数 | |
生长方法 |
籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输) |
晶体结构 |
六方 |
晶格常数 |
a=3.08 Å c=15.08 Å |
密度 |
3.21 g/cm3 |
方向 |
生长轴或 偏<0001> 3.5 º |
带隙 |
3.26 eV (间接) |
硬度 |
9.2(mohs) |
热传导@300K |
5 W/ cm.k |
介电常数 |
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
尺寸 |
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, |
Dia2",Di3",Dia4" | |
厚度 |
0.35mm, |
抛光 |
单面或双面 |
晶向 |
<0001>±0.5º |
晶面定向精度: |
±0.5° |
边缘定向精度: |
2°(特殊要求可达1°以内) |
斜切晶片 |
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片 |
Ra: |
≤5Å(5µm×5µm) |
包装 |
100级洁净袋,1000级超净室 |